SI8810EDB-T2-E1, МОП-транзистор 20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8

Код товара: 10701777

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
SI8810EDB-T2-E1
Производитель:

Описание SI8810EDB-T2-E1

СерияSI8
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Высота0.65 mm
Длина1.6 mm
ТехнологияSi
Ширина1.6 mm
Вид монтажаSMD/SMT
ECCNEAR99
Упаковка / блокMicroFoot-4
КонфигурацияSingle
Коммерческое обозначениеTrenchFET
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности900 mW
Канальный режимEnhancement
Количество каналов1 Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток20 V
Id - непрерывный ток утечки2.9 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток72 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток8 V, + 8 V
Qg - заряд затвора8 nC
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток400 mV

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка SI8810EDB-T2-E1 , МОП-транзистор 20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8 в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 264
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145
EMS
от 1 раб. дня
от 620
Почта России
от 1 раб. дня
от 319
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.