SSM3J133TU,LF, моп-транзистор small-signal моп-транзистор p-channel
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
МОП-транзистор Small-signal МОП-транзистор P-Channel
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Артикул:
SSM3J133TU,LF
Описание SSM3J133TU,LF
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | UFM-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | SSM3J133TU |
| Технология | Si |
| Вес изделия | 6.600 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Длина | 2 mm |
| Ширина | 1.7 mm |
| Высота | 0.7 mm |
| Коммерческое обозначение | U-MOSVI |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Конфигурация | Single |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 24.9 mOhms |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 5.5 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V, + 8 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Qg - заряд затвора | 12.8 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 107 ns |
| Типичное время задержки при включении | 32 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара