2N7002PS.115, моп-транзистор моп-транзистор n-ch dual 60v
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание 2N7002PS.115
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | SOT-363-6 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вес изделия | 7.500 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Продукт | MOSFET Small Signal |
| Pd - рассеивание мощности | 280 mW |
| Высота | 1 mm |
| Длина | 2.2 mm |
| Ширина | 1.35 mm |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 320 mA |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1 Ohms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.1 V |
| Qg - заряд затвора | 800 pC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Dual |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Время спада | 4 ns |
| Время нарастания | 4 ns |
| Типичное время задержки выключения | 10 ns |
| Типичное время задержки при включении | 3 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара