APT150GN120J, Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
5 722,23 руб.
Нет в наличии
Описание APT150GN120J
| Вид монтажа | Chassis Mount |
|---|---|
| Длина | 38.2 mm |
| Ширина | 25.4 mm |
| Высота | 9.6 mm |
| Коммерческое обозначение | ISOTOP |
| Вес изделия | 30 g |
| ECCN | EAR99 |
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка / блок | SOT-227-4 |
| Диапазон рабочих температур | 55 C to + 150 C |
| Pd - рассеивание мощности | 625 W |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1.2 kV |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.7 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 215 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 600 nA |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 30 V |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка APT150GN120J , Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара