BSS138PW.115, моп-транзистор n-ch 60 v 320 ma
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание BSS138PW.115
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Вес изделия | 5 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Продукт | MOSFET Small Signal |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Упаковка / блок | SOT-323-3 |
| Технология | Si |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 310 mW |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 320 mA |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.6 Ohms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 900 mV |
| Qg - заряд затвора | 0.72 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel Trench MOSFET |
| Время спада | 4 ns |
| Время нарастания | 3 ns |
| Типичное время задержки выключения | 9 ns |
| Типичное время задержки при включении | 2 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара