TK14G65W,RQ, моп-транзистор power моп-транзистор n-channel
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
МОП-транзистор Power МОП-транзистор N-Channel
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Артикул:
TK14G65W,RQ
Описание TK14G65W,RQ
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка / блок | TO-262-3 |
| Высота | 10.4 mm |
| Длина | 10 mm |
| Серия | TK14G65W |
| Ширина | 4.5 mm |
| Вес изделия | 4 g |
| ECCN | EAR99 |
| Pd - рассеивание мощности | 130 W |
| Технология | Si |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Время нарастания | 20 ns |
| Время спада | 7 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 13.7 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 220 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Типичное время задержки выключения | 110 ns |
| Типичное время задержки при включении | 60 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Qg - заряд затвора | 35 nC |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара