SI1900DL-T1-GE3, МОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs SC70-6
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание SI1900DL-T1-GE3
| Вес изделия | 7.500 mg |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Серия | SI1 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Длина | 2.1 mm |
| Ширина | 1.25 mm |
| Высота | 1 mm |
| Упаковка / блок | SOT-363-6 |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Dual |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 300 mW |
| Время спада | 7 ns |
| Время нарастания | 8 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 630 mA |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 480 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Qg - заряд затвора | 1.4 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Типичное время задержки выключения | 8 ns |
| Типичное время задержки при включении | 5 ns |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 0.75 S |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара