APTM50H15FT1G, Дискретные полупроводниковые модули Power Module - Mosfet
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
9 575,98 руб.
Нет в наличии
Описание APTM50H15FT1G
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Вес изделия | 80 g |
| ECCN | EAR99 |
| Продукт | Power MOSFET Modules |
| Максимальная рабочая температура | + 100 C |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Тип | Full Bridge |
| Упаковка / блок | SP1-12 |
| Pd - рассеивание мощности | 208 W |
| Конфигурация | Quad |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Время спада | 26 ns |
| Id - непрерывный ток утечки | 25 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 130 mOhms |
| Время нарастания | 35 ns |
| Типичное время задержки выключения | 80 ns |
| Типичное время задержки при включении | 29 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
Способы доставки в Калининград
Доставка APTM50H15FT1G , Дискретные полупроводниковые модули Power Module - Mosfet
в город Калининград
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 500 ₽
Деловые линии
от 16 раб. дней
от 2304 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1836 ₽
Почта России
от 17 раб. дней
от 783 ₽
СДЭК
от 3 раб. дней
от 1028 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара