APTM50H15FT1G, дискретные полупроводниковые модули power module - mosfet
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание APTM50H15FT1G
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Вес изделия | 80 g |
| ECCN | EAR99 |
| Продукт | Power MOSFET Modules |
| Максимальная рабочая температура | + 100 C |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Тип | Full Bridge |
| Упаковка / блок | SP1-12 |
| Pd - рассеивание мощности | 208 W |
| Конфигурация | Quad |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Время спада | 26 ns |
| Id - непрерывный ток утечки | 25 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 130 mOhms |
| Время нарастания | 35 ns |
| Типичное время задержки выключения | 80 ns |
| Типичное время задержки при включении | 29 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара