BSM180D12P2E002, Дискретные полупроводниковые модули 1200V 204A HALF BRIDGE SIC
Цена от:
138 566,12 руб.
Нет в наличии
Описание BSM180D12P2E002
| Продукт | Power MOSFET Modules |
|---|---|
| Тип | SiC Power MOSFET |
| Упаковка / блок | Module |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | Screw Mount |
| ECCN | EAR99 |
| Pd - рассеивание мощности | 1360 W |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1200 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 204 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 18 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Время спада | 45 ns |
| Время нарастания | 45 ns |
| Типичное время задержки выключения | 125 ns |
| Типичное время задержки при включении | 45 ns |
| Vr - обратное напряжение | 1200 V |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка BSM180D12P2E002 , Дискретные полупроводниковые модули 1200V 204A HALF BRIDGE SIC
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2157 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 451 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара
