TPW1R306PL.L1Q, моп-транзистор power моп-транзистор transistor pd=170w
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
МОП-транзистор POWER МОП-транзистор TRANSISTOR PD=170W
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Артикул:
TPW1R306PL.L1Q
Описание TPW1R306PL.L1Q
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | DSOP-Advance-8 |
| Высота | 0.73 mm |
| Длина | 5 mm |
| Серия | U-MOSIX-H |
| Ширина | 5 mm |
| ECCN | EAR99 |
| Pd - рассеивание мощности | 170 W |
| Технология | Si |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 260 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.29 mOhms |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 91 nC |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара