IXDR30N120D1, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 30 Amps 1200V

Код товара: 10711018

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
IXDR30N120D1
Производитель:

Описание IXDR30N120D1

Вес изделия5.300 g
ECCNEAR99
Вид монтажаThrough Hole
СерияIXDR30N120
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Минимальная рабочая температура55 C
Упаковка / блокISOPLUS247-3
Высота21.34 mm
Длина16.13 mm
Диапазон рабочих температур55 C to + 150 C
Ширина5.21 mm
КонфигурацияSingle
ТехнологияSi
Pd - рассеивание мощности200 W
Коммерческое обозначениеISOPLUS
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.1.2 kV
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер2.4 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер+/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C50 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.60 A
Ток утечки затвор-эмиттер500 nA
Непрерывный коллекторный ток50 A

Способы доставки в Калининград

Доставка IXDR30N120D1 , Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 30 Amps 1200V в город Калининград
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 351
Деловые линии
от 16 раб. дней
от 2363
EMS
от 5 раб. дней
от 1574
Почта России
от 17 раб. дней
от 733
СДЭК
от 4 раб. дней
от 832
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.