2SB1260T100Q, биполярные транзисторы - bjt pnp 80v 1a so-89
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание 2SB1260T100Q
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Ширина | 2.5 mm |
| Серия | 2SB1260 |
| Вес изделия | 130.500 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Длина | 4.5 mm |
| Высота | 1.5 mm |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 390 |
| Непрерывный коллекторный ток | 1 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 82 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара