IXFX120N30T, МОП-транзистор 120V 300V
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IXFX120N30T
Производитель:
Есть технические вопросы по товару или производителю? Задайте их нашему инженеру.
Телеграм MAX Заказать бесплатный образецЦена от:
218,98 руб.
Нет в наличии
Описание IXFX120N30T
| Серия | IXFX120N30 |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Тип | GigaMOS Power MOSFET |
| Коммерческое обозначение | HiPerFET |
| Вес изделия | 7.300 g |
| Длина | 16.13 mm |
| Ширина | 5.21 mm |
| Высота | 21.34 mm |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 300 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 120 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 24 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5 V |
| Qg - заряд затвора | 265 nC |
| Pd - рассеивание мощности | 960 W |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 23 ns |
| Время нарастания | 31 ns |
| Типичное время задержки выключения | 87 ns |
| Типичное время задержки при включении | 32 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 70 S |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IXFX120N30T , МОП-транзистор 120V 300V
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2336 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара