KTC3198-Y A1G, Биполярные транзисторы - BJT NPN Transistor Hfe 120-240
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT NPN Transistor Hfe 120-240
Артикул:
KTC3198-Y A1G
Производитель:
Описание KTC3198-Y A1G
| Упаковка / блок | TO-92-3 |
|---|---|
| Вес изделия | 217 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW (1/2 W) |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.25 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.15 A |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.15 A |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 240 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 80 MHz |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара