BC817UE6327HTSA1, биполярные транзисторы - bjt npn silicon af transistor array
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR ARRAY
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
BC817UE6327HTSA1
Описание BC817UE6327HTSA1
| Упаковка / блок | SC-74-6 |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | BC817 |
| Pd - рассеивание мощности | 330 mW |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Полярность транзистора | NPN |
| Конфигурация | Dual |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.7 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1000 mA |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 170 MHz |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 400 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 160 |
| Непрерывный коллекторный ток | 500 mA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара