STW65N65DM2AG, МОП-транзистор Automotive-grade N-channel 650 V, 0.042 Ohm typ., 60 A MDmesh DM2 Power МОП-транзистор in a TO-247 package
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
МОП-транзистор Automotive-grade N-channel 650 V, 0.042 Ohm typ., 60 A MDmesh DM2 Power МОП-транзистор in a TO-247 package
Артикул:
STW65N65DM2AG
Производитель:
Описание STW65N65DM2AG
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
|---|---|
| Серия | STW65N65DM2AG |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Вес изделия | 38 g |
| ECCN | EAR99 |
| Продукт | Power MOSFET |
| Тип | High Voltage |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Длина | 20.15 mm |
| Ширина | 15.75 mm |
| Высота | 5.15 mm |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Pd - рассеивание мощности | 446 W |
| Время спада | 11.5 ns |
| Время нарастания | 13.5 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 60 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 50 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Qg - заряд затвора | 27 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Типичное время задержки выключения | 114 ns |
| Типичное время задержки при включении | 33 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара