NX3020NAKW.115, моп-транзистор nx3020nakw/sot323/sc-70
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание NX3020NAKW.115
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вес изделия | 5 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | Si |
| Упаковка / блок | SOT-323-3 |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Конфигурация | Single |
| Pd - рассеивание мощности | 300 mW |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 180 mA |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.5 Ohms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V, + 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 800 mV |
| Qg - заряд затвора | 0.34 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel Trench MOSFET |
| Время спада | 17 ns |
| Время нарастания | 5 ns |
| Типичное время задержки выключения | 34 ns |
| Типичное время задержки при включении | 5 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара