MR25H10CDF, магниторезистивная оперативная память (mram) 1mb 3.3v 128kx8 serial магниторезистивная оперативная память (mram)

Name: MR25H10CDF, Магниторезистивная оперативная память (MRAM) 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial Магниторезистивная оперативная память (MRAM)
Brand: Everspin Technologies
SKU: 10712662
Availability: OutOfStock

Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара

Магниторезистивная оперативная память (MRAM) 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial Магниторезистивная оперативная память (MRAM)

Код товара: 10712662

Дата обновления: 03.11.2021 08:20

Цена и наличие
Сроки доставки

Доставка MR25H10CDF , Магниторезистивная оперативная память (MRAM) 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial Магниторезистивная оперативная память (MRAM) в город Калининград

Boxberry

от 9 раб. дней

от 761 ₽

DPD РФ

от 7 раб. дней

от 670 ₽

Деловые линии

от 10 раб. дней

от 1586 ₽

Почта РФ

от 15 раб. дней

от 290 ₽

EMS

от 4 раб. дней

от 1363 ₽

СДЭК

от 4 раб. дней

от 724 ₽

* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Описание MR25H10CDF

Серия	MR25H10
Вес изделия	37.400 mg
ECCN	EAR99
Упаковка / блок	DFN-8
Напряжение питания - мин.	2.7 V
Напряжение питания - макс.	3.6 V
Минимальная рабочая температура	40 C
Максимальная рабочая температура	+ 85 C
Ширина шины данных	8 bit
Тип интерфейса	SPI
Чувствительный к влажности	Yes
Рабочий ток источника питания	20 mA
Pd - рассеивание мощности	0.6 W
Размер памяти	1 Mbit
Организация	128 k x 8

Рекламодатель:
ООО ТД «Промэлектроника»
erid: Kra23ThKf

Хотите получить образцы?

Заказать образец

← 3564 TNY276PG →