PBSS4140DPN.115, биполярные транзисторы - bjt npn/pnp 40v 1a
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание PBSS4140DPN.115
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Высота | 1 mm |
| Длина | 3.1 mm |
| Ширина | 1.7 mm |
| Вес изделия | 20 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | TSOP-6 |
| Pd - рассеивание мощности | 370 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Dual |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
| Полярность транзистора | NPN, PNP |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 at 500 mA, 5 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 300 at 500 mA, 5 V at NPN, 200 at 1 A, 5 V at NPN, 300 at 100 mA, 5 V at PNP, 250 at 500 mA, 5 V at PNP |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара