SQJ912AEP-T1_GE3, МОП-транзистор 40V 30A 48W AEC-Q101 Qualified
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание SQJ912AEP-T1_GE3
| Вес изделия | 506.600 mg |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Серия | SQ |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Длина | 6.15 mm |
| Ширина | 5.13 mm |
| Высота | 1.04 mm |
| Упаковка / блок | PowerPAK-SO-8-4 |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Dual |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 48 W |
| Время спада | 11 ns, 11 ns |
| Время нарастания | 9 ns, 9 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 30 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 7.7 mOhms, 7.7 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.5 V |
| Qg - заряд затвора | 38 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Типичное время задержки выключения | 23 ns, 23 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns, 10 ns |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 58 S, 58 S |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара