TPN3300ANH,LQ, моп-транзистор n-ch 100v 21a 27w umosviii 680pf 11nc
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
МОП-транзистор N-Ch 100V 21A 27W UMOSVIII 680pF 11nC
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Артикул:
TPN3300ANH,LQ
Описание TPN3300ANH,LQ
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | TSON-Advance-8 |
| Высота | 0.85 mm |
| Длина | 3.1 mm |
| Серия | TPN3300ANH |
| Ширина | 3.1 mm |
| Вес изделия | 20 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Pd - рассеивание мощности | 27 W |
| Технология | Si |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Время нарастания | 4.4 ns |
| Время спада | 3.8 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 21 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 28 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 15 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Qg - заряд затвора | 11 nC |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара