SSM3J168F,LF, МОП-транзистор LowON Res МОП-транзистор ID=--0.4A VDSS=-60V
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
МОП-транзистор LowON Res МОП-транзистор ID=--0.4A VDSS=-60V
Артикул:
SSM3J168F,LF
Производитель:
Описание SSM3J168F,LF
| Упаковка / блок | SOT-346-3 |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Серия | SSM3J168F |
| Вес изделия | 120 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 1.2 W |
| Конфигурация | Single |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | U-MOSVI |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 400 mA |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.3 Ohms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Qg - заряд затвора | 3 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 31.7 ns |
| Типичное время задержки при включении | 4.3 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара