2DB1188R-13, биполярные транзисторы - bjt 1000w -32vceo
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание 2DB1188R-13
| Серия | 2DB11 |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Высота | 1.5 mm |
| Длина | 4.5 mm |
| Технология | Si |
| Ширина | 2.48 mm |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Вес изделия | 52 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | SOT-89-3 |
| Pd - рассеивание мощности | 1000 mW |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 32 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 120 MHz |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 390 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 180 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 800 mV |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара