2DB1132Q-13, Биполярные транзисторы - BJT 1000W -32Vceo

Код товара: 10731305

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
2DB1132Q-13
Производитель:

Описание 2DB1132Q-13

ECCNEAR99
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Длина4.5 mm
Минимальная рабочая температура55 C
Серия2DB11
Вес изделия52 mg
Высота1.5 mm
Ширина2.48 mm
Вид монтажаSMD/SMT
Упаковка / блокSOT-89-3
Pd - рассеивание мощности1000 mW
КонфигурацияSingle
Полярность транзистораPNP
КвалификацияAEC-Q101
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.32 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)40 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер125 mV
Максимальный постоянный ток коллектора1 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)190 MHz
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)120

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка 2DB1132Q-13 , Биполярные транзисторы - BJT 1000W -32Vceo в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 233 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2334 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 2 раб. дней
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.