FGB20N60SFD, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A Field Stop
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
371,84 руб.
Нет в наличии
Описание FGB20N60SFD
| Серия | FGB20N60SFD |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-263AB |
| Вес изделия | 1.312 g |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Pd - рассеивание мощности | 83 W |
| Технология | Si |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.8 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 40 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка FGB20N60SFD , Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A Field Stop
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 332 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2157 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 668 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 363 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 194 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара
