FGB5N60UNDF, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 5A NPT IGBT
Код товара: 10733059
Цена от:
146,36 руб.
Нет в наличии
Описание FGB5N60UNDF
Серия | FGB5N60UNDF |
---|---|
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Упаковка / блок | TO-263AB-3 |
Вес изделия | 1.312 g |
ECCN | EAR99 |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Pd - рассеивание мощности | 73.5 W |
Конфигурация | Single |
Технология | Si |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.4 V |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 10 A |
Ток утечки затвор-эмиттер | +/- 10 nA |
Способы доставки в Калининград
Доставка FGB5N60UNDF , Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 5A NPT IGBT
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара