FGA30N65SMD, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FS2PIGBT TO3PN 30A 650V
Код товара: 10734197
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
464,75 руб.
Нет в наличии
Описание FGA30N65SMD
| Серия | FGA30N65SMD |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Вес изделия | 6.401 g |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка / блок | TO-3PN-3 |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 300 W |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.29 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 60 A |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 30 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
Способы доставки в Калининград
Доставка FGA30N65SMD , Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FS2PIGBT TO3PN 30A 650V
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 813 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 715 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2242 ₽
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара