30C02CH-TL-E, биполярные транзисторы - bjt bip npn 0.7a 30v
Описание 30C02CH-TL-E
Серия | 30C02CH |
---|---|
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка / блок | SC-59-3 |
Вес изделия | 8 mg |
ECCN | EAR99 |
Pd - рассеивание мощности | 700 mW |
Технология | Si |
Полярность транзистора | NPN |
Конфигурация | Single |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.85 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 1.4 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 540 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 300 |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 800 |
Непрерывный коллекторный ток | 700 mA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара