2SB1122T-TD-E, биполярные транзисторы - bjt bip pnp 1a 50v
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание 2SB1122T-TD-E
| Серия | 2SB1122 |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вес изделия | 51.200 mg |
| Упаковка / блок | SOT-89-3 |
| Pd - рассеивание мощности | 1.3 W |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 180 mV |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 140 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 400 at - 100 mA, - 2 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара