FPF2G120BF07AS, Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) High Power Module
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
22 712,86 руб.
Нет в наличии
Описание FPF2G120BF07AS
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | FPF2G120BF07AS |
| Вес изделия | 45 g |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | F2 |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Pd - рассеивание мощности | 98 W, 140 W, 156 W |
| Конфигурация | Triple |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.55 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 40 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 2 uA |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка FPF2G120BF07AS , Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) High Power Module
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2157 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара