2SB1122S-TD-E, Биполярные транзисторы - BJT BIP PNP 1A 50V
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
28,35 руб.
Нет в наличии
Описание 2SB1122S-TD-E
| Серия | 2SB1122 |
|---|---|
| Вес изделия | 51.200 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Конфигурация | Single |
| Pd - рассеивание мощности | 1.3 W |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 560 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 140 |
| Непрерывный коллекторный ток | 1 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.18 V |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка 2SB1122S-TD-E , Биполярные транзисторы - BJT BIP PNP 1A 50V
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 322 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 668 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 341 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 194 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара