MRF174, рч моп-транзисторы rf transistor
Описание MRF174
Минимальная рабочая температура | 65 C |
---|---|
Максимальная рабочая температура | + 200 C |
Упаковка / блок | 221-11-3 |
Тип | RF Power MOSFET |
ECCN | EAR99 |
Технология | Si |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Pd - рассеивание мощности | 270 W |
Рабочая частота | 200 MHz |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 65 V |
Id - непрерывный ток утечки | 13 A |
Vgs - напряжение затвор-исток | 40 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара