DXT3150-13, Биполярные транзисторы - BJT 1000mW 25Vceo
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
20,87 ₽
Нет в наличии
Описание DXT3150-13
| Технология | Si |
|---|---|
| Серия | DXT3150 |
| Вес изделия | 52 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | SOT-89-3 |
| Конфигурация | Single |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 25 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 500 mV |
| Pd - рассеивание мощности | 1000 mW |
| Высота | 1.5 mm |
| Длина | 4.5 mm |
| Ширина | 2.48 mm |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 5 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 220 MHz |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 50 at 5 A, 2 V |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка DXT3150-13 , Биполярные транзисторы - BJT 1000mW 25Vceo
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 233 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2334 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 2 раб. дней
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара