2DA1213O-13, биполярные транзисторы - bjt 1w -50v
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание 2DA1213O-13
| Технология | Si |
|---|---|
| Серия | 2DA12 |
| Вес изделия | 130.500 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | SOT-89-3 |
| Конфигурация | Single |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
| Pd - рассеивание мощности | 1000 mW |
| Высота | 1.5 mm |
| Длина | 4.5 mm |
| Ширина | 2.5 mm |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 160 MHz |
| Непрерывный коллекторный ток | 2 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 70 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 140 at 500 mA, 2 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара