2DA1213O-13, Биполярные транзисторы - BJT 1W -50V

Код товара: 10739985

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
2DA1213O-13
Производитель:

Описание 2DA1213O-13

ТехнологияSi
Серия2DA12
Вес изделия130.500 mg
ECCNEAR99
Вид монтажаSMD/SMT
Упаковка / блокSOT-89-3
КонфигурацияSingle
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.50 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.5 V
Pd - рассеивание мощности1000 mW
Высота1.5 mm
Длина4.5 mm
Ширина2.5 mm
Полярность транзистораPNP
Напряжение коллектор-база (VCBO)50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Максимальный постоянный ток коллектора2 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)160 MHz
Непрерывный коллекторный ток2 A
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)70
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.140 at 500 mA, 2 V

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка 2DA1213O-13 , Биполярные транзисторы - BJT 1W -50V в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2231
EMS
от 1 раб. дня
от 620
Почта России
от 1 раб. дня
от 319
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.