2SB1216S-E, Биполярные транзисторы - BJT BIP PNP 4A 100V
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
59,86 руб.
Нет в наличии
Описание 2SB1216S-E
| Серия | 2SB1216 |
|---|---|
| Вес изделия | 4 g |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Упаковка / блок | TO-251-3 |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 100 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 4 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 70 |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка 2SB1216S-E , Биполярные транзисторы - BJT BIP PNP 4A 100V
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара