2DB1694-7, Биполярные транзисторы - BJT LOW VSAT PNP SMT 3K
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT LOW VSAT PNP SMT 3K
Производитель:
Diodes Incorporated
Артикул:
2DB1694-7
Описание 2DB1694-7
| ECCN | EAR99 |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Длина | 2.15 mm |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Серия | 2DB16 |
| Вес изделия | 5 mg |
| Высота | 1 mm |
| Ширина | 1.3 mm |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | SOT-323-3 |
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW (1/2 W) |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 30 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 380 mV |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 300 MHz |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 270 at 100 mA, 2 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 270 at 100 mA at 2 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара