RJH65T47DPQ-A0#T0, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT - 650V/45A/TO-247A
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT - 650V/45A/TO-247A
Артикул:
RJH65T47DPQ-A0#T0
Производитель:
Описание RJH65T47DPQ-A0#T0
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Высота | mm |
| Длина | mm |
| Технология | Si |
| Ширина | mm |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Вес изделия | 6 g |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | TO-247A-3 |
| Pd - рассеивание мощности | 375 W |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 90 A |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 30 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.8 V |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 90 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | +/- 1 uA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара