FGA40S65SH, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 40A Field Stop Trench IGBT
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
439,05 руб.
Нет в наличии
Описание FGA40S65SH
| Серия | FGA40S65SH |
|---|---|
| Вес изделия | 6.401 g |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Pd - рассеивание мощности | 268 W |
| Упаковка / блок | TO-3PN-3 |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.4 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 80 A |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 80 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | +/- 400 nA |
Способы доставки в Калининград
Доставка FGA40S65SH , Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 40A Field Stop Trench IGBT
в город Калининград
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 449 ₽
Деловые линии
от 16 раб. дней
от 2304 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1548 ₽
Почта России
от 17 раб. дней
от 720 ₽
СДЭК
от 3 раб. дней
от 832 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара