2SB1215T-H, Биполярные транзисторы - BJT BIP PNP 3A 100V
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание 2SB1215T-H
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-251-3 |
| Серия | 2SB1215 |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Вес изделия | 4 g |
| ECCN | EAR99 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 100 V |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 3 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 70 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара