2SC2713-GR,LF, биполярные транзисторы - bjt transistor for low freq sm-signal amp
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Артикул:
2SC2713-GR,LF
Описание 2SC2713-GR,LF
| Максимальная рабочая температура | + 125 C |
|---|---|
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | TO-236-3 |
| Серия | 2SC2713 |
| ECCN | EAR99 |
| Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 120 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 120 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 300 mV |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 700 at 2 mA at 6 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара