DMN4026SK3-13, моп-транзистор 40v n-ch enh fet 20vgss 1.6w 1181pf
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
МОП-транзистор 40V N-Ch Enh FET 20Vgss 1.6W 1181pF
Производитель:
Diodes Incorporated
Артикул:
DMN4026SK3-13
Описание DMN4026SK3-13
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | DMN40 |
| ECCN | EAR99 |
| Pd - рассеивание мощности | 3.4 W |
| Вес изделия | 4 g |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 28 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 20 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 3.1 ns |
| Время нарастания | 4.6 ns |
| Типичное время задержки выключения | 19.5 ns |
| Типичное время задержки при включении | 4.3 ns |
| Qg - заряд затвора | 9.6 nC |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара