DF80R12W2H3F_B11, Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
DF80R12W2H3F_B11
Есть технические вопросы по товару или производителю? Задайте их нашему инженеру.
Телеграм MAX Заказать бесплатный образецЦена от:
13 839,75 руб.
Нет в наличии
Описание DF80R12W2H3F_B11
| Вид монтажа | Press Fit |
|---|---|
| Упаковка / блок | Module |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | High Speed IGBT H3 |
| Вес изделия | 73.260 g |
| ECCN | EAR99 |
| Продукт | IGBT Silicon Carbide Modules |
| Технология | SiC |
| Конфигурация | Dual |
| Pd - рассеивание мощности | 20 mW |
| Коммерческое обозначение | EasyPACK CoolSiC |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.55 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 20 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка DF80R12W2H3F_B11 , Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2336 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара