SGP23N60UFTU, биполярные транзисторы с изолированным затвором (igbt) dis high perf igbt
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Dis High Perf IGBT
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
SGP23N60UFTU
Описание SGP23N60UFTU
| Серия | SGP23N60UF |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вес изделия | 1.800 g |
| Длина | 10.1 mm |
| Ширина | 4.7 mm |
| Высота | 9.4 mm |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 100 W |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 23 A |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 23 A |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.1 V |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 23 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | +/- 100 nA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара