STP160N3LL, МОП-транзистор LGS LV МОП-транзистор
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание STP160N3LL
| Продукт | Power MOSFETs |
|---|---|
| Тип | STripFET H6 |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Длина | 15.75 mm |
| Ширина | 10.4 mm |
| Высота | 4.6 mm |
| Серия | STP160N3LL |
| Вес изделия | 330 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 136 W |
| Конфигурация | Single |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | STripFET |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 120 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3.2 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Qg - заряд затвора | 42 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 23.4 ns |
| Время нарастания | 91 ns |
| Типичное время задержки выключения | 24.5 ns |
| Типичное время задержки при включении | 19 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара