IXXH80N65B4H1
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание IXXH80N65B4H1
IGBT Discretes, IXYS
| Brand | IXYS |
|---|---|
| Максимальный непрерывный ток коллектора | 430 A |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 650 В |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | ±20V |
| Максимальное рассеяние мощности | 625 Вт |
| Количество транзисторов | 1 |
| Тип корпуса | TO-247AD |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Тип канала | N |
| Число контактов | 3 |
| Скорость переключения | 5 → 30кГц |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Размеры | 16.13 x 5.21 x 21.34мм |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
| Номинальная энергия | 5.2mJ |
| Страна происхождения | PH |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара