SIR690DP-T1-RE3
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание SIR690DP-T1-RE3
N-Channel MOSFET, TrenchFET up to Gen III, Vishay Semiconductor
| Brand | Vishay |
|---|---|
| Тип канала | N |
| Максимальный непрерывный ток стока | 34,4 А |
| Максимальное напряжение сток-исток | 200 В |
| Тип корпуса | SO |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Число контактов | 8 |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 39 мΩ |
| Номер канала | Поднятие |
| Максимальное пороговое напряжение включения | 4V |
| Минимальное пороговое напряжение включения | 2V |
| Максимальное рассеяние мощности | 104 Вт |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Длина | 6.25мм |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 31,9 нКл при 10 В |
| Высота | 1.12мм |
| Ширина | 5.26мм |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Прямое напряжение диода | 1.1V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара