TK55S10N1
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание TK55S10N1
| Brand | Toshiba |
|---|---|
| Тип канала | N |
| Максимальный непрерывный ток стока | 55 А |
| Максимальное напряжение сток-исток | 100 В |
| Тип корпуса | DPAK |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Число контактов | 3 |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 6,5 мΩ |
| Номер канала | Поднятие |
| Максимальное пороговое напряжение включения | 4V |
| Минимальное пороговое напряжение включения | 2V |
| Максимальное рассеяние мощности | 157 Вт |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Максимальное напряжение затвор-исток | ±20 В |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Высота | 2.3мм |
| Ширина | 7мм |
| Прямое напряжение диода | 1.2V |
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
| Автомобильный стандарт | AEC-Q101 |
| Длина | 6.5мм |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 49 нКл при 10 В |
| Страна происхождения | JP |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара