MMBF4393LT1G, Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 30 В, 225 мВт

*Изображения служат только для ознакомления. См. DataSheet продукта

Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 30 В, 225 мВт
Код товара: 108027
Дата обновления: 26.05.2022 15:15
Цена от: 23,99 руб.
Адрес доставки
Для расчета срока и стоимости доставки, пожалуйста, выберите страну/регион/населенный пункт.
Доставка MMBF4393LT1G, Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 30 В, 225 мВт в Екатеринбург

Технические параметры

  • Корпус
    SOT23-3
  • Тип упаковки
    Tape and Reel (лента в катушке)
  • Нормоупаковка
    3000 шт.
  • Вес брутто
    0.03 г.
  • Напряжение Сток-Исток Макс
  • Проводимость (N/P)
  • Напряжение отсечки (при токе)
  • Мощность Макс.

Описание MMBF4393LT1G

Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 30 В, 225 мВт

The MMBF4393LT1G is a N-channel JFET Switching Transistor designed for analogue switching and chopper applications.

• 30VDC Drain-source voltage
• 30VDC Drain-gate voltage
• 30VDC Gate-source voltage
• 50mA Forward gate current

Максимальная рабочая температура+150 °C
Длина3.04мм
Transistor ConfigurationОдинарный
Емкость исток-затвор14 pF @ -15 V
Запирающий ток сток-исток Idss5 → 30mA
ПроизводительON Semiconductor
Емкость сток-затвор14 pF @ 0 V
Тип корпусаSOT-23
Тип монтажаПоверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура-55 °C
Ширина1.4мм
Высота1.01
Максимальное сопротивление сток-исток100 Ω
Максимальное напряжение сток-затвор30V
Максимальное напряжение сток-исток30 V
Число контактов3
Размеры3.04 x 1.4 x 1.01мм
КонфигурацияОдинарный
Тип каналаN
Максимальное напряжение затвор-исток+30 В
Вес, г0.05

Аналоги