MMBF4393LT1G, Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 30 В, 225 мВт
JFET N-CH 30V 225mW SOT23
Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 30 В, 225 мВт
Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 30 В, 225 мВт
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
MMBF4393LT1G
Документы:
Технические параметры
-
КорпусSOT-23
-
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
-
Нормоупаковка3000 шт
-
Вес брутто0.03 г.
-
Напряжение Сток-Исток Макс
-
Проводимость (N/P)
-
Напряжение отсечки (при токе)
-
Мощность Макс.
Описание MMBF4393LT1G
The MMBF4393LT1G is a N-channel JFET Switching Transistor designed for analogue switching and chopper applications.
• 30VDC Drain-source voltage
• 30VDC Drain-gate voltage
• 30VDC Gate-source voltage
• 50mA Forward gate current
Максимальная рабочая температура | +150 °C |
Длина | 3.04мм |
Transistor Configuration | Одинарный |
Емкость исток-затвор | 14 pF @ -15 V |
Запирающий ток сток-исток Idss | 5 → 30mA |
Производитель | ON Semiconductor |
Емкость сток-затвор | 14 pF @ 0 V |
Тип корпуса | SOT-23 |
Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
Минимальная рабочая температура | -55 °C |
Ширина | 1.4мм |
Высота | 1.01 |
Максимальное сопротивление сток-исток | 100 Ω |
Максимальное напряжение сток-затвор | 30V |
Максимальное напряжение сток-исток | 30 V |
Число контактов | 3 |
Размеры | 3.04 x 1.4 x 1.01мм |
Конфигурация | Одинарный |
Тип канала | N |
Максимальное напряжение затвор-исток | +30 В |
Вес, г | 0.05 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара