PBSS5160DS

Код товара: 10813692

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
PBSS5160DS
Производитель:
Описание Eng:
TRANS GP BJT PNP/PNP 60V 1A,PBSS5160DS

Описание PBSS5160DS

Low Saturation Voltage PNP Transistors A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage PNP Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.

BrandNexperia
Тип транзистораPNP
Максимальный пост. ток коллектора1 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)60 В
Тип корпусаТонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
Тип монтажаПоверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности700 мВт
Конфигурация транзистораИзолированный
Максимальное напряжение коллектор-база80 В
Максимальное напряжение эмиттер-база5 В
Максимальная рабочая частота185 МГц
Число контактов6
Количество элементов на ИС2
Размеры1 x 3.1 x 1.7мм

Способы доставки в Калининград

Доставка PBSS5160DS в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.